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概要

説明

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The Intersil HCTS30MS is a Radiation Hardened 8-Input NAND Gate. A high on all input forces the output to a low state. The HCTS30MS utilizes advanced CMOS/SOS technology to achieve high-speed operation. This device is a member of radiation hardened, high-speed, CMOS/SOS Logic Family.

特長

  • 3 Micron Radiation Hardened SOS CMOS
  • Total Dose 200K RAD (Si)
  • SEP Effective LET No Upsets: >100 MEV-cm2/mg
  • Single Event Upset (SEU) Immunity < 2 x 10-9 Errors/ Bit-Day (Typ)
  • Dose Rate Survivability: >1 x 1012 RAD (Si)/s
  • Dose Rate Upset >1010 RAD (Si)/s 20ns Pulse
  • Latch-Up Free Under Any Conditions
  • Military Temperature Range: -55°C to +125°C
  • Significant Power Reduction Compared to LSTTL ICs
  • DC Operating Voltage Range: 4.5V to 5.5V
  • LSTTL Input Compatibility
  • VIL = 0.8V Max
  • VIH = VCC/2 Min
  • Input Current Levels Ii ≤ 5µA at VOL, VOH

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 382 KB
カタログ PDF 5.02 MB
カタログ PDF 467 KB
アプリケーションノート PDF 338 KB
4件

設計・開発

モデル

ECADモデル

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Diagram of ECAD Models