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概要

説明

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The Intersil HCS27MS is a Radiation Hardened Triple 3-Input NOR Gate. A Low on all inputs forces the output to a High state. The HCS27MS utilizes advanced CMOS/SOS technology to achieve high-speed operation. This device is a member of radiation hardened, high-speed, CMOS/SOS Logic Family. The HCS27MS is supplied in a 14 lead Ceramic flatpack (K suffix) or a SBDIP Package (D suffix).

特長

  • 3 Micron Radiation Hardened SOS CMOS
  • Total Dose 200K RAD (Si)
  • SEP Effective LET No Upsets: >100 MEV-cm2/mg
  • Single Event Upset (SEU) Immunity 2 x 10-9 Errors/Bit-Day (Typ)
  • Dose Rate Survivability: >1 x 1012 RAD (Si)/s
  • Dose Rate Upset >1010 RAD (Si)/s 20ns Pulse
  • Latch-Up Free Under Any Conditions
  • Military Temperature Range: -55°C to +125°C
  • Significant Power Reduction Compared to LSTTL ICs
  • DC Operating Voltage Range: 4.5V to 5.5V
  • Input Logic Levels
  • VIL = 30% of VCC Max
  • VIH = 70% of VCC Min
  • Input Current Levels Ii ≤ 5µA at VOL, VOH

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 378 KB
カタログ PDF 5.02 MB
カタログ PDF 467 KB
ホワイトペーパー PDF 533 KB
EOL通知 PDF 163 KB
Product Advisory PDF 499 KB
製品変更通知 PDF 230 KB
アプリケーションノート PDF 338 KB
アプリケーションノート PDF 224 KB
9件

設計・開発

モデル

ECADモデル

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Diagram of ECAD Models