概要
説明
Support is limited to customers who have already adopted these products.
The 2SJ673 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特長
- Super low on-state resistance RDS(on)1 = 20 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −18 A) RDS(on)2 = 31 mΩ MAX. (VGS = −4.0 V, ID = −18 A)
- Low Ciss: Ciss = 4600 pF TYP.
- Built-in gate protection diode
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
ピックアップ
ログイン後、ご登録が可能となります。
|
|
|
---|---|---|
分類 | タイトル | 日時 |
データシート | PDF 282 KB | |
ガイド | PDF 2.76 MB | |
ガイド | PDF 796 KB | |
アプリケーションノート | PDF 633 KB English | |
カタログ | PDF 2.24 MB | |
ガイド | PDF 596 KB | |
6件
|
設計・開発
モデル
ECADモデル
[製品選択]テーブル内の製品名をクリックするとSamacSysが提供する回路図シンボル、PCBフットプリント、3D CADモデルがご確認いただけます。 お探しのシンボルやモデルが見つからない場合、Webサイトから直接リクエストできます。