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概要

説明

This product is N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

特長

  • Super low on-state resistance
    RDS(on) = 3.3 mΩ MAX. ( VGS = 10 V, ID = 45 A )
  • Low Ciss : Ciss = 3900 pF TYP. ( VDS = 25 V )

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 582 KB
ガイド PDF 796 KB
EOL通知 PDF 1.40 MB English
アプリケーションノート PDF 633 KB English
ガイド PDF 596 KB
5件

設計・開発

モデル

ECADモデル

[製品選択]テーブル内の製品名をクリックするとSamacSysが提供する回路図シンボル、PCBフットプリント、3D CADモデルがご確認いただけます。 お探しのシンボルやモデルが見つからない場合、Webサイトから直接リクエストできます。

Diagram of ECAD Models