概要
説明
The NP36P06SLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特長
- Super low on-state resistance RDS(on)1 = 30 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −18 A) RDS(on)2 = 40 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −18 A)
- Low input capacitance Ciss = 3200 pF TYP.
- Built-in gate protection diode
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
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分類 | タイトル | 日時 |
データシート | PDF 1.50 MB | |
アプリケーションノート | PDF 2.65 MB 英語 | |
ガイド | PDF 1.71 MB | |
製品別信頼性資料 | PDF 224 KB | |
アプリケーションノート | PDF 633 KB 英語 | |
カタログ | PDF 2.24 MB | |
ガイド | PDF 596 KB | |
7 items
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設計・開発
モデル
ECADモデル
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