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概要

説明

These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

特長

  • Low on-state resistance RDS(on) = 25 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 20 A) (NP40N10YDF) RDS(on) = 26 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 20 A) (NP40N10VDF) RDS(on) = 27 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 20 A) (NP40N10PDF)
  • Low Ciss: Ciss = 2100 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)
  • Logic level drive type
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 156 KB
ガイド PDF 2.76 MB
ガイド PDF 796 KB
アプリケーションノート PDF 633 KB English
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
6件

設計・開発

モデル

ECADモデル

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Diagram of ECAD Models