ルネサス エレクトロニクス株式会社（代表取締役社長兼CEO:呉 文精、以下ルネサス）は、このたび、回路線幅が16/14nm（ナノメートル：10億分の1メートル）世代以降のフラッシュメモリ内蔵マイコン向けにフィン構造の立体トランジスタを採用したSG-MONOS（注1）フラッシュメモリセルの開発に世界で初めて（注2）成功しました。SG-MONOS技術は車載応用可能な信頼性を有し、当社は現在、その技術を適用した40nm世代マイコンを量産中、28nm世代マイコンを開発しておりますが、本成功により16/14nm以降の世代までスケーリングが可能な見通しを得ました。
先進運転支援システム(Advanced Driver Assistance Systems: ADAS)に代表されるクルマの自動化やIoT(Internet of Things) を介したスマート社会の進展に伴い、より微細なプロセスを用いた最先端マイコンが求められています。このため、40/28nm世代よりさらにプロセス世代を先どりした、16/14nmのロジックプロセスをベースにした混載フラッシュメモリの開発が必要となります。16/14nmロジックプロセスでは従来のプレーナ構造のトランジスタでは微細化に限界が出てきたため、新しくフィン構造を導入した立体トランジスタの採用により性能の向上と消費電力の抑制を図ることが標準となっています。
しかしながら、混載フラッシュメモリにフィン構造を導入するには、フラッシュメモリの構造との親和性という大きな障壁があります。混載フラッシュメモリの構造としては、浮遊ゲート型と電荷トラップ型の2種類が提案、実用化されています。当社が従来採用してきた電荷トラップ型のフラッシュメモリは、浮遊ゲート型に比べて電荷保持特性に優れ、高い信頼性が要求される車載マイコンへの応用に関し高い実績を有しております。また、そのメモリ保持部をシリコン基板面に形成しているため、三次元立体構造であるフィン構造への展開が比較的容易にできます。これに対して、浮遊ゲート型のフラッシュメモリはセル構造が複雑なため、フィン構造に混載することが極めて困難と予想されます。
さらに、高誘電体ゲート絶縁膜とメタルゲート電極を有するCMOSで採用されている、トランジスタ形成後にポリシリコンゲート電極をメタルゲート電極と置き換えるプロセスに対して、メモリセル構造の維持が容易であることも、SG-MONOSが浮遊ゲート構造に勝るポイントになります。
今回ルネサスは、これらのスケーラビリティに優れたフィン構造のSG-MONOSフラッシュメモリを、16/14nm世代以降の高性能・高信頼性マイコンに向けて世界で初めて開発に成功にいたしました。
このたび開発した混載フラッシュメモリ技術の特長は以下のとおりです。
（1）フィン構造におけるメモリ動作とトランジスタ特性改善を確認
今回開発したフィン構造のSG-MONOSメモリセルにおいて、書き込み／消去状態におけるしきい値電圧の変化および書き込み／消去速度が期待通りとなっていることを確認しました。フィン構造を採用したトランジスタでは、ゲートがチャネルを囲む構造となるため、集積度を上げるために平面的な活性領域幅を大幅に縮小した場合でも、大きな駆動電流を確保できます。また、ゲート制御性の向上による、しきい値電圧ばらつきの著しい改善が見られました。これらは、フィン構造のSG-MONOSメモリセルが次世代のフラッシュメモリに要求されるランダムアクセス200MHz超の高速読み出しや搭載メモリの飛躍的な大容量化に応える特性を有することを示しています。
（2）フィン構造における特性劣化を緩和する書き込み方式を開発
一般に、フィン構造ではフィン先端部の電界集中によりデバイス特性の劣化や経年変化が顕著になる可能性が指摘されています。この電界集中は特に書き込み動作開始直後に顕著となるため、書き込み電圧を低い電圧から段階的に上昇させるステップパルスという書き込み手法を検討しました。この手法はプレーナ構造でも報告されている技術ですが、特にフィン構造の場合はフィン先端部の電界集中の緩和に対し、非常に有効に機能することが分かりました。フィン構造SG-MONOSメモリセルの経年劣化が実際に減少していることで実効性を確認し、書き換え回数はデータ保存用フラッシュメモリで従来通りの25万回を実現しました。
（3）従来と同等の高温データ保持特性を維持
電荷トラップ型MONOSフラッシュメモリの特長である優れた電荷保持特性はフィン型構造でも損なわれることは無く、車載用途で重視されるデータ保持特性は、25万回の書き換え動作後に150℃で10年以上と、従来と同等の信頼性を維持しています。
今回の成果は、SG-MONOS構造フラッシュメモリが、16/14nm世代以降の高誘電体ゲート絶縁膜とメタルゲート電極を有するフィン構造の最先端ロジックプロセスとの混載が容易であり、100M（メガ）バイト級のメモリを搭載し、28nm世代比4倍以上の処理性能を有する高信頼マイコンの実現に有望な技術であることを示すものです。
今後、当社は大容量フラッシュメモリの動作確認を進め、2023年頃の実用化に向けて開発を進める計画です。
ルネサスは、高性能・高信頼性を備えた大容量の混載のフラッシュメモリの開発を28nm世代のみならず16/14nm以降の世代まで推し進めて、継続的にクルマの進化やスマート社会の実現に貢献してまいります。
なお、当社は今回の成果を、2016年12月5日から7日まで米国サンフランシスコで開催される「電子デバイス国際会議IEDM 2016（International Electron Device Meeting 2016）」にて、現地時間の12月6日に発表します。
以 上
（注1）MONOSは、「Metal（メタル）－Oxide（酸化膜）－Nitride（窒化膜）－Oxide（酸化膜）－Silicon（シリコン）」の略称。シリコンの上に、酸化膜/窒化膜/酸化膜の3層構造があり、その上に制御ゲート（メタル）が載った、記憶用トランジスタ（メモリセル）の構造のこと。ルネサスでは、MONOS技術を20年以上前からICカード用メモリに搭載している。この実績を元に、ゲート電極を二つに分けた「スプリットゲート（SG）」構造のMONOS技術「SG-MONOS」を開発し、高信頼性・高速動作・低消費電力を実現するSG-MONOS型フラッシュメモリとして、マイコンに内蔵している。
（注2）2016年12月7日時点。
＊本リリース中の製品名やサービス名は全てそれぞれの所有者に属する商標または登録商標です。
ニュースリリースに掲載されている情報（製品価格、仕様等を含む）は、発表日現在の情報です。 その後予告なしに変更されることがございますので、あらかじめご承知ください。