概要
説明
TP65H070G4LSGB 650V 72mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、Gen IVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMT技術と低電圧シリコンMOSFET技術を組み合わせ、優れた信頼性と性能を提供します。
ルネサスのGaNパワー製品は、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンよりも効率が向上します。
このTP65H070G4LSGBは、共通のソースパッケージ構成の業界標準のPQFN88で提供されます。
特長
- Gen IVテクノロジー
- JEDEC認定のGaN技術
- ダイナミックRDS(on)eff 生産テスト済み
- ロバスト設計、以下によって定義されます。
- 広いゲート安全マージン
- 過渡過電圧機能
- 非常に低いQRR
- クロスオーバー損失の低減
- ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
- 電力密度の向上
- システムのサイズと重量の低減
- 全体的なシステムコストの削減
- 一般的に使用されるゲートドライバーで簡単に駆動できます
- GSDピンレイアウトにより高速設計が向上
- RoHS準拠およびハロゲンフリーのパッケージ
製品比較
アプリケーション
アプリケーション
- データコム
- 幅広い産業
- PVインバーター
- サーボ モーター
- 民生
- コンピューティング
設計・開発
モデル
ECADモデル
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Processing table
| PQFN88 | Tape & Reel | 3 | Surface Mount | -55 to +150°C |
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