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概要

説明

RJH65T04BDPM-A0は650V、30Aのトレンチ絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)で、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低く、ファストリカバリダイオード(FRD)を内蔵しており、パワー・スイッチング・アプリケーションに使用できます。 TO-3PFPパッケージで提供されます。

特長

  • コレクタからエミッタへの低飽和電圧 VCE(sat) = 1.5V(typ.) (IC = 30A, VGE = 15V, Ta = 25 °C時)
  • 高速リカバリーダイオードを1パッケージで内蔵
  • トレンチゲートと薄型ウェハ技術
  • 高速スイッチング tf = 45ns typ. (VCC = 400V、VGE = 15V、IC = 30A、Rg = 10Ω、Ta = 25°C、誘導負荷時)
  • 動作周波数(20kHz ≤ f ˂ 40kHz)

製品比較

アプリケーション

  • パワースイッチング
  • 力率補正(PFC)回路

ドキュメント

設計・開発

モデル

ECADモデル

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Diagram of ECAD Models