概要

ルネサスのAE4 IGBTは、プロセス構造に独自のトレンチゲート構成を採用しています。これらのデバイスは、破壊耐量を犠牲にすることなく低オン電圧化を可能とし、更には、低スイッチングロス化を実現しています。本1200V/150A IGBTは、インバータなどの高出力アプリケーション向けに最適化されています。

  • 11200V AE4 トレンチテクノロジー
  • コレクタからエミッタへの低飽和電圧 VCE (sat) = 1.5V（typ.） （IC = 150A、VGE = 15V、Ta = 25°C時）
  • 低損失スイッチング
  • 内蔵Rgによる容易な並列化

アプリケーション

  • 高速スイッチング

ドキュメント

設計・開発

ECADモデル

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    Processing table
    Pkg. Type
    Carrier Type
    ご購入 / サンプル
    型名
    RJP1C05DWA-00#W0
    circleアクティブ
    memory
    view_in_ar
    		Wafer
    Parametric Table tips

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