概要
説明
ルネサスの車載用AE4 IGBTは、プロセス構造に独自のトレンチゲート構成を採用しています。これらのデバイスは、破壊耐量を犠牲にすることなく低オン電圧化を可能とし、更には、低スイッチングロス化を実現しています。
本1200V/200A IGBTは、ハイブリッドや電気自動車用の走行インバータなどの高出力アプリケーション向けに最適化されています。
特長
- 1200V Trench & field stop AE4 technology
- Low collector to emitter saturation voltage (1.5V typ.)
- Low Switching loss
- Easy paralleling by internal Rg
- AEC Q101 (HTRB, HTGB) qualified
製品比較
アプリケーション
- Hybrid and electric vehicle inverter
設計・開発
モデル
ECADモデル
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Processing table
| Sawn Wafer |
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