概要
説明
This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. .
特長
- Logic level operation to (–4 to –6 V Gate drive)
- Built-in the over temperature shut-down circuit
- High endurance capability against to the shut-down circuit
- Latch type shut down operation (need 0 voltage recovery)
- Built-in the current limitation circuit.
- High density mounting
- Power supply voltage applies 12 V and 24 V.
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