ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
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N0606N

廃止品

Power MOSFETs with Support for High-efficiency Drive and Low Heat Design

N0606N Datasheet

概要

The N0606N is an N-channel MOSFET rated at 60V, 60A, 12.9mΩ Rdson(max). The device, available in a TO-220AB package, offers low on-resistance, high-speed switching, and high robustness. These MOSFETs are suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications.

  • Low on-state resistance: RDS(on) = 12.9mΩ max. (VGS = 10V, ID = 30A)
  • Low Ciss: Ciss = 2170pF typ. (VDS = 25V)
  • High current: ID(DC) = ±60A
  • RoHS compliant
  • Quality grade: Standard
  • High current switching

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