概要

説明

本製品はゲート印加電圧によりドレイン・ソース間のON-OFF 制御ができるパワースイッチです。構造はパワーMOS FETのゲート部に過熱遮断回路を内蔵しており,異常な周囲温度上昇,過電力,過電流による発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FET を保護する働きを持っています。

特長

  • 過熱遮断回路を内蔵しており,高熱状態のパワーMOS FET 保護が可能
  • 負荷短絡に対する耐量が向上しています
  • 過熱遮断方式はラッチ型です。過熱遮断回路動作後は、ゲート電圧0バイアスで復帰します。
  • 電流制限回路を内蔵しております
  • 低オン抵抗 RDS(on):140 mΩ Typ, 260 mΩ Max (VGS = –10 V)
  • 電源電圧12 V 適用
  • AEC-Q101 Rev-C 準拠

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