概要
説明
ゲートの印加電圧によりドレイン・ソース間のON-OFF 制御ができるパワースイッチ用MOS FETです。構造はパワーMOS FET のゲート部に過熱遮断回路を内蔵したものであり，異常な周囲温度上昇，過電力，過電流による発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FET を保護する働きを持っています。
特長
- ロジックレベル駆動型パワーMOS FET
- 過熱遮断回路を内蔵しており，高熱状態のパワーMOS FET 保護が可能
- 負荷短絡に対する耐量が向上
- 過熱遮断方式はラッチ型。過熱遮断回路動作後は，ゲート電圧0 バイアスで復帰
- 電流制限回路を内蔵
- 高密度実装が可能
- 電源電圧は12 V を適用
- AEC-Q101準拠
製品比較
アプリケーション
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モデル
ECADモデル
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Processing table
| SOP | SOP-8 / SOIC-8 | 1.069 | サンプルを入手, |
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