概要

説明

本製品はゲート印加電圧によりドレイン・ソース間のON-OFF 制御ができるパワースイッチです。構造はパワーMOS FETのゲート部に過熱遮断回路を内蔵しており,異常な周囲温度上昇,過電力,過電流による発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FET を保護する働きを持っています。

特長

  • ロジックレベル (4V) 駆動可能なパワーMOS FET です
  • 過熱遮断回路を内蔵しており,高熱状態のパワーMOS FET 保護が可能
  • 負荷短絡に対する耐量が向上しています
  • 過熱遮断方式はヒステリシス型です。素子温度が所定の温度まで下がると自動的に復帰します
  • 高密度実装が可能
  • 電流制限回路を内蔵しております
  • 電源電圧12 V, 24 V 適用
  • AEC-Q101 Rev-E 準拠

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