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概要

説明

The F1130 RF front-end offers a 19dB gain with 3.5dB NF and +37dBm OIP3 performance. The digital step attenuator provides a 30dB adjustment range in 2dB steps via the SPI interface controller. For strong signal conditions, each RF amplifier can be bypass-controlled via the SPI interface. The RF front-end output and mixer input signals are bonded to separate pins to allow interstage image-reject filtering.

Each of the dual mixer paths provides a 9dB power gain, 10.3dB NF, and +36dBm OIP3 performance. An external LO signal is applied to the mixer LO port. This device is packaged in a 7mm × 7mm 48-VFQFPN with 50Ω single-ended RF and LO inputs, and 200Ω differential IF output impedance for ease of integration.

特長

  • Dual path for MIMO systems
  • RF: 400MHz to 1100MHz
  • LO: 500MHz to 1300MHz
  • IF: 25MHz to 400MHz
  • Bypassable RF amplifiers for strong signal conditions
  • 19dB RF front-end power gain
  • +37dBm RF front-end OIP3 (Bypass OFF)
  • +43dBm RF front-end OIP3 (Bypass ON)
  • 3.5dB front-end NF at 900MHz
  • 9dB mixer power gain (HS LO)
  • +36dBm mixer OIP3
  • 30dB gain control range, 2dB steps
  • Total ICC = 360mA
  • 7mm × 7mm 48-VFQFPN package

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 1.29 MB
製品変更通知 PDF 550 KB
2件

設計・開発

ボード&キット

モデル

ECADモデル

SamacSysの回路図シンボル、PCBフットプリント、および3D CADモデルは、製品オプションテーブルのCADモデルリンクをクリックすることで参照できます。シンボルまたはモデルが対応していない場合は、SamacSysに直接リクエスト可能です。

Diagram of ECAD Models

製品選択

適用されたフィルター