高スループットで多くのデータを求める消費者の需要が増え続けており、複数の市場セグメントやアプリケーションにまたがるこうしたニーズに対応するため、システム規格は進化を続けています。 これらの進化する規格は、システムの信号対ノイズ比（SNR）を改善し、データレートとスループットを向上させるような高いRF性能を持つRFコンポーネントを必要とします。
RFスイッチは、各アプリケーションのニーズに応じて、多種多様な複雑な設計、構成、性能要件が要求されるアプリケーションの多くに使用される重要なコンポーネントです。 ルネサスは、このような進化するニーズに対応するため、業界をリードする性能を備えたRFスイッチのポートフォリオをたゆまず構築しています。
ルネサスRFスイッチについて
ルネサスは、Kz定インピーダンス技術、低挿入損失、高入力IP3性能を兼ね備えたSPDT、SP4T、SP5T RFスイッチを提供しています。 この高絶縁スイッチは、高信頼性アプリケーション向けの広い周波数帯域と拡張動作温度範囲を特長としています。 加えて、ルネサスのRFスイッチは、GaAsなどの他の技術よりも有利な先進のRFシリコン半導体技術を採用しています。
- 高静電放電（ESD）耐性とMSL1レベル湿度感度性能という製造上の堅牢性
- 低電流ドレインでの温度に対する優れたRF性能
- GaAsに比して高い信頼性
- シンプルなパッケージングアセンブリにより、熱性能を向上させ、総コストを削減
Kz定インピーダンス：Kzは、RFポートを切り替えても、システムのインピーダンスをほぼ一定に保ちます。 この技術革新により、システムのホットスイッチングの耐久性が向上し、VCOのLOプリングが最小化され、配電網での位相と振幅の変動が低減されます。 また、PAやADCのようなアップストリーム／ダウンストリームの高感度デバイスへのダメージを避けながら、複数のアンプを動的に切り替えるのにも理想的です。
挿入損失：低挿入損失は、システム全体のパフォーマンスとデータスループットを向上させ、レシーバの感度を改善し、不要なトランスミッタパス上の信号損失を最小限に抑えます。 ルネサスのRFスイッチは、2GHzでわずか0.5dBの挿入損失を持ち、高絶縁性を維持しながら低経路損失を実現します。
IM3歪み：消費者の要求の高まりに対応するためにデータレートが上昇するのに伴い、システムには、システムの信号対ノイズ比（SNR）維持のための高直線性を持つRFコンポーネントが必要となります。 このスイッチは、2GHzで最大65dBmのIP3入力をするよう設計されており、設計者が高レベルのシステム性能を維持できるよう支援します。
高絶縁：最終製品が複数の周波数帯域と複数のモードを含むようになるにつれて、RFスイッチには、シグナルインテグリティを維持し、低挿入損失を犠牲にすることなくクロストークを低減するために、高絶縁が必要です。 このスイッチは、RF共通ポートといずれかのRF出力ポートの間で、2GHzまで最小71dBの絶縁を維持し、今日の要求の厳しい高性能アプリケーションをサポートするために必要とする高絶縁を提供します。
広周波数帯域幅：混雑したRFスペクトラムと短い製品開発サイクルタイムを両立させるために、広い周波数帯域幅にわたって優れたRF性能特性を維持するコンポーネントを必要とします。 この高絶縁スイッチは、最大300kHzから8000MHzの広い周波数範囲にわたって低挿入損失と低歪みを維持するように設計されており、広帯域アプリケーションの幅広いニーズを満たしながら、設計サイクルタイムを最小限に抑えます。
温度範囲の拡大：データレートが上昇し、システムの筐体が小型化されるにつれて、これらの筐体内の周囲温度は上昇を続けており、熱効率が高くて信頼性も高く、温度性能を改善したRFスイッチの必要性が高まっています。 スイッチは幅広いアプリケーション向けに設計されており、動作温度範囲は-55˚C～+125˚Cまで拡張されています。 熱効率の高いモノリシックシリコン設計は、広温度範囲にわたって優れた安定性を備え、さまざまな高性能RFアプリケーションに適しています。
