概要
説明
ISL73033SLHEV1Z評価ボードはISL73033SLH 耐放射線ドライバGaNパワーステージの性能を評価するために用いられます。 ISL73033SLHは4.5Vゲートドライバと100V、7.5mΩエンハンスメントモードの窒化ガリウムFET(eGaN FET)を8mm x 8mmの単一BGAパッケージに統合されています。 このデバイスはドライバとGaN FETを1つのパッケージに統合することによりプリント基板(PCB)レイアウトを簡素化し、強化と絶縁型DC/DCコンバータトポロジのために設計されています。 このドライバは4.5Vから13.2Vの供給電圧で動作し、反転と非反転の論理ドライブの要件を満たすために、1つのデバイスで反転(INB)入力と非反転(IN)入力 の両方があります。
ISL73003SLHEV1Z評価ボードは、3つのオンボード2512サイズの220mΩレジスタが並列(73.3mΩ)に接続され、共通ソース オープンドレイン100V 電流検知ロードスイッチとして構成されます。
特長
- 生産テストと認証は標準AS6294/1に従います。
- 4.5Vゲートドライバ内蔵の100V、7.5mΩ eGaN FET
- 4.5V~13.2Vの広いドライババイアス範囲
- 最大16.5Vまでの論理入力(VDDレベルにかかわりなく)
- 反転入力と非反転入力
- エンハンスメントモードGaN FETのために最適化された内蔵ドライバ
- 内部4.5V調整型ゲート駆動電圧
- 完全な軍事用の温度範囲で動作
- TA = -55 °C~+125 °C
- TJ = -55 °C~+150 °C
- 放射線耐性保証(ロットごと)
- 低線量率(0.01rad(Si)/s):75krad(Si)
- ドライバのSEE硬度(SEEテストレポート参照)
- SEB/L LET THなし、VDD = 16.5V:86MeV•cm 2/mg
- SET、LET THなし、VDD = 13.2V:86MeV•cm 2/mg
- GaN FETのSEE硬度(SEEテストレポート参照)
- SEB/L LET THなし、V DS = 100V:86MeV•cm 2/mg
アプリケーション
アプリケーション
- フライバックコンバータとフォワードコンバータ
- 昇圧型コンバータとPFCコンバータ
- セカンダリ同期FETドライバ