近年、宇宙市場は効率性の高いパワーマネジメントソリューションに向けて進んでいます。 その推進力の1つに、パワーステージとしての窒化ガリウム（GaN）FETの使用があります。 GaN FETは高い電力変換効率を持ち、放射線への耐性が高く、その性質から広バンドギャップ半導体となっています。 ルネサスはこれらの電力システムで使用されるGaN FETを効率的に駆動するために、耐放射線特性100V GaN FET + 一体型ローサイドドライバを開発しました。 これらのプラスチックパッケージ化された耐放射線特性GaN FET + ドライバはさまざまなタイプのミッションのDC/DC電源に使用されています。
プロダクトセレクタ: 耐放射線特性プラスチック製GaN FET
パラメトリック製品セレクタを使用してカタログ上の製品を検索してみてください。パラメータ毎に スペックを比較することでお客様の設計に適した製品が表示されます。
プロダクトセレクタドキュメント
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| カタログ | PDF 5.02 MB | |
| 技術概要 | PDF 229 KB | |
| ホワイトペーパー | PDF 1.49 MB 英語 | |
| ホワイトペーパー | PDF 405 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 338 KB | |
5件
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ビデオ&トレーニング
Radiation-Tolerant Plastic-Package ICs Overview
Learn about Renesas's family of radiation-tolerant plastic-package ICs designed to support the emerging field of small satellites that will provide solutions such as high-speed Internet connections to hundreds of millions of users in communities, governments, and businesses worldwide. These ICs deliver rad-tolerance performance at a much lower cost point versus radiation assurance tested Class V (space level) products.
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