2023年7月5日
ルネサス エレクトロニクス株式会社
Wolfspeed, Inc.
ルネサス エレクトロニクス株式会社（本社：東京都江東区、以下、ルネサス）とSiC（炭化ケイ素）技術の世界的リーダーであるWolfspeed, Inc.（本社：米国ノースカロライナ州ダーラム、以下、Wolfspeed、読み：ウルフスピード）は、ウェハの供給契約およびルネサスによるWolfspeedへの20億米ドルの預託金提供を発表しました。ルネサスはWolfspeedから、10年間にわたりSiCウェハ（ベア / エピタキシャル）の供給を確保することになります。Wolfspeedから高品質なSiCウェハの供給を受けることで、ルネサスは2025年に予定するSiCパワー半導体の量産開始に向け、大きく前進することになります。本契約の調印式は、ルネサスの本社において、ルネサスの代表取締役社長兼CEOの柴田 英利、WolfspeedのPresident and CEOのGregg Loweとの間で、執り行われました。
10年間の供給契約により、Wolfspeedはルネサスに対し、150mmのSiCウェハ（ベア / エピタキシャル）を2025年から本格的に供給します。これは、市場におけるシリコン製パワー半導体から、SiC製パワー半導体への転換が進む動きに対応するものです。加えてWolfspeedは、同社が先日発表した新工場「John Palmour Manufacturing Center for Silicon Carbide」（以下、JP工場）が本格稼働したのち、ルネサスに200mmのSiCウェハ（ベア / エピタキシャル）を供給することも予定しています。
電力の供給や制御を担う、高効率なパワー半導体の需要は、電気自動車（EV）や再生可能エネルギーの普及などにより、自動車向け、産業向けともに、著しく拡大しています。ルネサスは、こうしたパワー半導体の需要の増加に対応するため、自社の製造能力を拡張してきました。直近では、IGBT向けに甲府工場（山梨県甲斐市）の再稼働を発表したほか、SiC向けには、高崎工場（群馬県高崎市）に製造ラインを新設することも表明しています。
従来のシリコン製パワー半導体に比べ、SiCを用いたデバイスは高い電力変換効率と電力密度、またシステムコストの低減を可能とします。そのため、省電力化へのニーズが高まる中、EV、再生可能エネルギーや蓄電設備、充電インフラ、産業用パワーサプライ、トラクションドライブ、可変速ドライブ等、需要が拡大する幅広いアプリケーションでSiCの普及が進んでいます。
ルネサスの代表取締役社長兼CEOの柴田 英利は、次のように述べています。
「ルネサスはWolfspeedとのウェハ供給契約締結により、長期間にわたって高品質のSiCウェハの安定供給を確保できました。これにより、ルネサスのパワー半導体の供給力が強化され、お客様の広範なアプリケーションに対応できるようになります。そして、ルネサスは、急速に拡大するSiC市場において、キープレイヤーの一社として存在感を拡大してまいります。」
WolfspeedのPresident and CEOのGregg Loweは、次のように述べています。
「自動車、産業、そしてエネルギー関連分野におけるSiCの需要急増を受けた、シリコンからSiCへの世界的な転換を主導する上で、ルネサスのような業界トップクラスのパワー半導体メーカーに製品を供給することは非常に大きな意義があります。Wolfspeedは35年以上にわたり、SiCウェハの製造と高品質なパワーデバイスの製造に注力しており、今回の供給契約は、世界の省電力化を牽引するというミッションにおいて大きな一歩となります。」
ルネサスによる20億米ドルの預託金は、JP工場の建設をはじめとする、Wolfspeedの設備投資計画に用いられます。Wolfspeedが現在、米国ノースカロライナ州チャタム郡において、数十億米ドルをかけて建設中のJP工場は、最先端かつ世界最大のSiC素材工場となる予定で、現行の同州ダーラム拠点の10倍以上に相当する製造能力確保が見込まれます。この工場では、150mmウェハより1.7倍大きい、200mmのSiCウェハを主に製造する予定で、ウェハあたりのチップ数増加、ひいてはデバイス単価の削減に貢献します。
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以上