パワーデバイスの注力分野

車載分野、産業分野における高出力アプリケーションに対応するIGBT/Power MOS製品のラインアップを拡充していきます。将来的には、SiCやGaNなどの広帯域化合物デバイス製品も拡充して行きます。

カテゴリ

GaN Power Discretes
Power discretes with improved efficiency over silicon
パワーIGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors)
薄型ウェハ技術による低飽和電圧と高速スイッチング
パワーMOSFET
低オン抵抗、高速スイッチング、高ロバスト性を実現するMOSFET
パワーサイリスタとトライアック
ジャンクション温度(Tj)150℃保証のトライアックとサイリスタ
パワーダイオード
非常に高い周波数のアプリケーションで整流する、迅速な回復時間

ドキュメント

分類 タイトル 日時
ガイド PDF 2.65 MB
カタログ PDF 1.92 MB
パンフレット PDF 1.28 MB 英語 , 简体中文
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ビデオ&トレーニング

IGBT Products

Renesas IGBT products Line-up