新しいRF電圧可変アッテネータは、低挿入損失と高直線性、周波数範囲1 MHz～6 GHzを実現
IDT®社（Integrated Device Technology, Inc.、本社：米国カリフォルニア州サンノゼ、NASDAQ：IDTI）は本日、RF電圧可変アッテネータ（VVA）シリーズに2つの新製品が加わったことを発表しました。このF2255とF2258の両アッテネータの周波数範囲は1 MHz～6 GHzで、VVAシリーズの既存の製品と同様に、業界をリードする低挿入損失と高い直線性を特徴としています。
IDTのVVAは、高精度の減衰が要求される用途でのアナログ制御を可能にします。今回の新製品はどちらも、3mm×3mm、16ピンのコンパクトなTQFNパッケージで提供されます。挿入損失は競合製品に比べて半減しており、IP3性能は競合するガリウム砒素（GaAs）素子の1000倍（30 dB）であり、電圧制御範囲全体にわたってdB直線性の減衰特性を示します。挿入損失が低いため、RFチェーンパス損失が軽減されるとともに、高直線性によってシステムのデータレートも向上します。
これら最新のアッテネータは一般的なフットプリントに適合し、基地局（2G、3G、4G）、マイクロ波インフラ、防災無線、携帯無線通信／データ装置、試験／ATE装置、軍事システム、JTRS無線、HF/VHF/UHF無線などに最適です。
IDTのRF部門のゼネラルマネージャーであるChris Stephensは、次のように述べています。「IDTのシリコンベースのRF製品は、GaAsソリューションに比べて非常に優れた性能を備えており、最大30dBの直線性向上が得られます。これらのアッテネータの挿入損失は現在市販されているVVAの中でも最小であり、最高度の線減衰制御特性を実現しています」
IDTのアッテネータでは、従来のGaAsベースの半導体技術よりも強固なシリコンベースのRF半導体技術が採用されています。シリコン技術により、RF性能が向上するとともに、より強固な静電放電（ESD）保護、感湿レベル（MSL）と熱性能の向上、電力消費量の低減、シリコン技術の高い信頼性というメリットが得られます。
F2258とピン互換のGaAs競合製品とを比較すると、F2258では入力IP3が最大65dBm（GaAsは35dBm）、最大減衰傾度は33dB/V（GaAsは53dB/V）、6000MHzまでの最小反射損失は12.5dB（GaAsは7dB）、最高動作温度は105℃（GaAsは85℃）です。F2255での周波数範囲の下限値は1MHz、最大減衰傾度は33dB/Vです。F2255とF2258はどちらも双方向のRFポートを備えており、正電源電圧は3Vまたは5Vで、動作温度範囲は-40～105℃になっています。
IDT社のRF製品について
IDT社は、コンパクトなパッケージで卓越した性能を発揮する、高性能かつフル機能を備えた無線周波数（RF）ミキサーおよびゲインコントロール製品を提供しています。RF信号パス製品には、低消費電力かつ低歪のRFから中間周波数（IF）のミキサー、および低ノイズかつ高性能の中間周波数（IF）可変ゲインアンプ（VGA）、低ノイズ高性能デジタルステップアッテネータ（DSA）、高性能低挿入損失RFスイッチなどがあります。これらのデバイスは、携帯電話の4G基地局、広帯域リピータ、分散アンテナ・システム、マイクロ波バックホール機器といった製品に理想的です。
IDT 社（Integrated Device Technology, Inc.）は、顧客の用途に最適化したシステムレベルのソリューションを開発します。タイミング、シリアル・スイッチ、インタフェース、アナログやシステムに関する専門技術で市場のリーダーシップをとっています。これら技術を利用して、通信、コンピュータ、民生用電子機器の分野で、特定の用途に完全に最適化したミックスド・シグナル半導体のソリューションを提供しています。本社は、米国カリフォルニア州サンノゼ。世界中に設計、製造、販売の拠点があります。IDT社の株式はNASDAQ Global Select Stock Market®市場で取引されています。証券コードは「IDTI」。IDTに関する詳しい情報はwww.idt.comをご覧ください。Facebook、LinkedIn、Twitter、YouTube、Google+ でもお調べいただけます。
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