GaAsスイッチとの互換性を備えつつ、比類のないRF性能の組み合わせを実現する IDTの50～8000MHz広帯域幅、50Ω吸収型SPDTスイッチ

2016年5月25日

 

IDT®（Integrated Device Technology, Inc.、本社：米国カリフォルニア州サンノゼ、NASDAQ：IDTI）は本日、高アイソレーション・低損失・高線形性を備え、さまざまなアプリケーションに対応する2種の広帯域RFスイッチを発表しました。50～8000MHzで動作するこのIDT®の F2932／F2933は、シリコンベースの低歪み50Ω単極双投（SPDT）スイッチです。業界標準の4×4mm 16ピンQFNパッケージで提供され、フットプリントと制御性はドロップイン置き換え可能です。さまざまな仕様の製品を豊富に備えており、通信システムや防災無線システム、レーダー、汎用スイッチに最適です。

F2932／F2933の主な特長（4GHz時）：

  • 高アイソレーション：66dB
  • 低歪み：15dBmのトーン、1MHzのチャネル間隔で64dBmのIIP3
  • 低挿入損失：0.93dB
  • P1dB：35dBm以上

GaAsベースのスイッチなど、競合製品と比較した場合のメリット：

  • RF性能の向上
  • 信頼性の向上
  • 簡単に組み込み可能
  • ソリューション全体のコストを削減

 

IDTのRF部門担当ゼネラルマネージャであるChris Stephensは、次のように述べています。「2種の新デバイスは、業界最高レベルのアイソレーション値を達成可能で、低歪み・低挿入損失との組み合わせにより、さまざまな高アイソレーションアプリケーションにおいて比類のない性能を実現します。これらのスイッチは、エンジニアが今日のRF設計に求められる厳しい要件を満たすことをできるようにする、最新の提案です」

F2932とF2933は、RF性能、ピン配列、制御性に関して同一の仕様となっています。F2932は、イネーブル／ディセーブル機能が1つ追加されており、すべてのRFパスをオフ状態に切り替えてVCTL機能をディセーブルにすることができます。

IDTのRF製品について

　IDTは、小型パッケージで優れた性能を実現する、フル機能の高性能RF（無線周波数）製品を提供しています。IDTのRF信号パスデバイスは、すべてシリコンベースであり、GaAsベースの製品に比べて圧倒的に優れた固有のメリットを備えています。製品ポートフォリオとしては、RFミキサー、固定ゲインアンプ（FGA）／可変ゲインアンプ（VGA）、デジタルステップアッテネータ（DSA）、復調器、ブロードバンド変調器、RFスイッチ、広帯域電圧可変アッテネータなどがあります。IDTのRFデバイスは、携帯電話の4G基地局、ブロードバンド中継局、分散アンテナシステム、マイクロ波バックホール機器といった製品に最適です。

IDT社について

　IDT 社（Integrated Device Technology, Inc.）は、顧客の用途に最適化したシステムレベルのソリューションを開発します。タイミング、シリアル・スイッチ、インタフェース、アナログやシステムに関する専門技術で市場のリーダーシップをとっています。これら技術を利用して、通信、コンピュータ、民生用電子機器、車載、産業用の分野で、特定の用途に完全に最適化したミックスド・シグナル半導体のソリューションを提供しています。本社は、米国カリフォルニア州サンノゼ。世界中に設計、製造、販売の拠点があります。IDT社の株式はNASDAQ Global Select Stock Market®市場で取引されています。証券コードは「IDTI」。IDTに関する詳しい情報はwww.idt.comをご覧ください。Facebook、LinkedIn、Twitter、YouTube、Google+ でもお調べいただけます。

IDT、IDTのロゴおよびZMDIは、Integrated Device Technology Inc.の商標または登録商標です。製品やサービスを特定するために使用されるその他のブランド名、製品名、マークは、各所有者の商標または登録商標の場合があります。

《本プレスリリースに関するお問合せ先》

日本アイ・ディー・ティー（IDT）合同会社

〒105-0012　東京都港区芝大門1-9-9　野村不動産芝大門ビル6F

マーケティング　コミュニケーションズ　本田　真由美

TEL: 03-6453-3039　FAX: 03-6453-3011　E-mail: [email protected]

 

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