超高線形性とGlitch-Free性能によりデータレートの増大に対応する F1975/F1977 75Ωデジタルステップアッテネータ
IDT ®(Integrated Device Technology, Inc.、本社:米国カリフォルニア州サンノゼ、NASDAQ:IDTI)は本日、RFポートフォリオを拡充する製品として、ブロードバンド市場やCATV市場の厳しい要件を満たすよう最適化された新しいデジタルステップアッテネータ(DSA)ファミリを発表しました。この超高線形性の75Ω DSAは、IDTが独自開発したGlitch-Free™テクノロジーを業界で初めて採用しており、比類のない性能を実現します。
IDTのRF部門担当ゼネラルマネージャであるChris Stephensは、次のように述べています。「DSAは、CMTSや、ファイバ配線ネットワーク、HFC配線ノード、CATVのインフラやデータネットワーク装置など、幅広いアプリケーションにおいてゲインコントロールを実現します。IDTの新しいDSAは、最新のDOCSIS 3.1要件など、現在および将来のデータ集約型アプリケーションで求められるデータレートの増大に対応します」
F1975とF1977は、極めて優れた低挿入損失、低歪みを特長としており、精密な減衰精度を備え、競合デバイスに比べてはるかに大きなパワー処理能力を発揮します。そのため、各種システムのデータレートを高める上で必要とされる性能を実現することができます。Glitch-Free性能により、MSBの遷移時に発生するオーバーシュートやリンギングが抑えられ、75Ωのインピーダンスにより、ターゲットアプリケーションの統合性を容易に高めることができます。また、F1977は、業界初のモノリシックシリコン75Ω Glitch-Free 7ビットDSAであり、業界トップクラスのRF性能を維持しつつ、0.25dBのゲインコントロールを実現します。
前述のStephensは、次のように述べています。「DOCSIS 3.1が策定され、ファイバネットワークが拡張を続ける中、データレートの増大はとどまるところを知りません。時代は大きな転換点を迎えており、RFコンポーネントも、これまでとは比較にならないレベルの性能が求められています。IDTが誇るテクノロジーと中核的な技術革新は、次世代システムに必要とされる優れた性能を実現する上で最適です」
F1975と F1977のパラメータ
パラメータ | F1975 (4x4mm) | F1977 (5x5mm) | 単位 |
周波数帯域 | 5-3000 | 5-3000 | MHz |
ビット数/ステップサイズ | 6 / 0.5dB | 7 / 0.25dB |
|
最大動作電力 | 28(最大値) | 28(最大値) | dBm |
P0.1dB (1 GHz) | 31 | 32 | dBm |
挿入損失 (1GHz) | 1.2 | 1.4 | dB |
リターンロス | 18 | 18 | dB |
ステップエラー (1 GHz) | 0.1 | 0.1 | dB |
IIP3 (1 GHz) | 64 | 64 | dBm |
Glitch-Freeテクノロジーを組み込んだ初めてのDSA製品により、IDTは業界を牽引します。IDTが独自に開発し、2012年に特許を取得したGlitch-Freeテクノロジーは、減衰状態間の遷移時に、アンプやアナログデジタルコンバータを損傷から守ります。
F1975とF1977は現在、出荷を開始しています。F1975は小型の4×4mm 20ピンTQFNパッケージ、F1977は小型の5×5mm 32ピンQFNパッケージでそれぞれ提供されます。サンプルや量産品の詳細については、弊社営業または販売代理店にお問い合わせください。
IDTは、小型パッケージで優れた性能を実現する、フル機能の高性能RF(無線周波数)製品を提供しています。IDTのRF信号パスデバイスは、すべてシリコンベースであり、GaAsベースの製品に比べて圧倒的に優れた固有のメリットを備えています。製品ポートフォリオとしては、RFミキサー、固定ゲインアンプ(FGA)/可変ゲインアンプ(VGA)、デジタルステップアッテネータ(DSA)、復調器、ブロードバンド変調器、RFスイッチ、広帯域電圧可変アッテネータなどがあります。IDTのRFデバイスは、携帯電話の4G基地局、ブロードバンド中継局、分散アンテナシステム、マイクロ波バックホール機器といった製品に最適です。
IDT社について
IDT 社(Integrated Device Technology, Inc.)は、顧客の用途に最適化したシステムレベルのソリューションを開発します。タイミング、シリアル・スイッチ、インタフェース、アナログやシステムに関する専門技術で市場のリーダーシップをとっています。これら技術を利用して、通信、コンピュータ、民生用電子機器、車載、産業用の分野で、特定の用途に完全に最適化したミックスド・シグナル半導体のソリューションを提供しています。本社は、米国カリフォルニア州サンノゼ。世界中に設計、製造、販売の拠点があります。IDT社の株式はNASDAQ Global Select Stock Market®市場で取引されています。証券コードは「IDTI」。IDTに関する詳しい情報はwww.idt.comをご覧ください。Facebook、LinkedIn、Twitter、YouTube、Google+ でもお調べいただけます。
IDT、IDTのロゴおよびZMDIは、Integrated Device Technology Inc.の商標または登録商標です。製品やサービスを特定するために使用されるその他のブランド名、製品名、マークは、各所有者の商標または登録商標の場合があります。
《本プレスリリースに関するお問合せ先》
日本アイ・ディー・ティー(IDT)合同会社
〒105-0012 東京都港区芝大門1-9-9 野村不動産芝大門ビル6F
マーケティング コミュニケーションズ 本田 真由美
TEL: 03-6453-3039 FAX: 03-6453-3011 E-mail: [email protected]