ルネサス エレクトロニクス株式会社（代表取締役社長：赤尾 泰、以下ルネサス）はこのたび、スマートフォンなどの携帯機器等向けパワー半導体として、2mm×2mmの超小型パッケージ採用セミパワーMOSFET（注1）では業界トップの低損失（低オン抵抗（注2））を実現した20V耐圧（VDSS）の「μPA2600」と30V耐圧の「μPA2601」を製品化し、2012年4月よりサンプル出荷を開始いたします。
新製品は、（1）オン抵抗低減により機器の省電力化に貢献できます。また、（2）従来3mm×2mmのパッケージで同様のオン抵抗を実現していた場合、実装面積を約3割低減できるため、機器の小型化が図れます。
加えて、多様化するアプリケーションに対応するため、今回2mm×2mmの超小型パッケージを採用したセミパワーMOSFETとして、Ｐチャネル型とＮチャネル型およびパッケージに１素子を搭載したものと2素子を搭載（デュアル・タイプ）したものの組み合わせによる6製品も2012年4月よりサンプル出荷を開始いたします。
小型化かつ業界トップクラスの低オン抵抗を実現した総計8製品のラインアップにより、携帯機器のロードスイッチ（LSI等に送る電力のON/OFFスイッチ）や充放電制御およびRFパワーアンプ（高周波信号増幅器）のON/OFF制御、過電流遮断スイッチ等の様々なアプリケーションでの実装面積削減が図れ、携帯機器の小型軽量/省電力化に貢献します。
新製品の量産は2012年6月より順次開始し、2013年上期には8製品合計で月産300万個を生産予定です。
背景
携帯機器の軽薄短小化や高機能スマートフォンの普及に伴い、搭載されるセミパワーMOSFETには省電力のための低オン抵抗化、小型化が求められています。さらに、携帯電話やスマートフォンの分野では従来のロードスイッチ用途に加えて充放電制御、RFパワーアンプのON/OFF制御や過電流遮断スイッチ用として小型かつ大電流対応、低オン抵抗を兼ね備えたデバイスへの需要が高まっています。
ルネサスではかねてより継続的にオン抵抗の低減とパッケージの小型化を進めてきました。さらに、携帯機器に使用される電源の仕様によって極性（Pチャンネル型など）、耐圧等様々なタイプが要求されるため、製品ラインアップを取り揃えて対応してきました。今回、当社パワー半導体の強化と、上記のような更なる低損失、小型化の要求に対応するため、当社では初めて2mm×2mmの超小型パッケージを採用し、かつ低オン抵抗を実現したセミパワーMOSFET 8製品を製品化したものです。
特長
新製品の主な特長は次の通りです。
（1）業界トップレベルの低オン抵抗を実現（Nチャネル型「μPA2600」「μPA2601」）
20V耐圧（VDSS）の「μPA2600」では9.3mΩ（4.5V時の標準値）、30V耐圧の「μPA2601」では10.5mΩ（10V時の標準値）と、2mm×2mmの超小型パッケージ品では業界トップの低オン抵抗を実現しました。このため、機器の省電力化に貢献いたします。
（2）小型パッケージによる実装面積削減
大面積高性能チップを小型パッケージに配置し、ヒートシンク外出しのパッケージにより実装基板にパッケージの熱を効率よく外部に放熱することにより2mm×2mmの超小型パッケージを実現。
「μPA2600」など従来3mm×2mmのパッケージを使用していた場合は約3割、「μPA2672など」従来3mm×3mmのパッケージを使用していた場合は約6割の実装面積削減が可能であり、機器の軽薄短小化が測れます。
（3）豊富なラインアップ
製品は、携帯機器分野で多用される耐電圧12～30Vの製品を中心に、Ｐチャネル型の「μPA2630」など4製品、Ｎチャネル型の｢uPA2600｣など3製品およびＮチャネルとＰチャネル素子を１パッケージ化した「μPA2690」の総計8製品をラインアップしており、携帯機器のロードスイッチ、および充放電制御やRFパワーアンプのON/OFF制御や過電流遮断スイッチ等様々なアプリケーションに対応可能です。
なお、新製品は欧州ＲｏHS指令（注3）への対応はもちろん、ハロゲンフリーに対応し、環境への配慮を行っております。サンプル価格は、1個あたり30円です。
携帯機器の分野では飛躍的に高機能化が進んでおり、部品の実装スペースは益々狭くなっていきます。ルネサスでは、こうしたさらなる小型高性能化のニーズに対応するため、新しいプロセス、新小型パッケージを採用することにより、従来製品性能を維持しつつ実装面積の小さな製品を開発し、携帯機器の小型高性能化に貢献できるようラインアップの拡充を推し進めてまいります。
新製品の仕様は、別紙をご参照下さい。
以 上
（注1）MOSFETはMetal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor （金属酸化膜半導体 電界効果型トランジスタの略。セミパワーMOSFETは１Wクラス以下の小電力タイプのMOSFETです。 MOSFETにはその構造により、ＰチャネルとＮチャネルがあります。
（注2）オン抵抗（RDS(on)）はパワーMOSFETが動作している時の動作抵抗であり、数値が低いほど損失（導通損失）を低減できます。
（注3）欧州ＲｏHS指令：Directive 2002/95/EC of the European Parliament and of the Council of 27 January 2003 on the restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment.
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