ルネサス エレクトロニクス株式会社（以下ルネサス）は、このたび、第2世代DDR5サーバ用マルチプレックスランクDIMM（Multiplexed Rank Registered Dual Inline Memory Module: MRDIMM）向けに、業界初のトータルなメモリインタフェースチップセットを発表しました。人工知能（AI）、ハイパフォーマンスコンピューティング（HPC）などのデータセンタアプリケーションでメモリ帯域幅の拡大が求められる今、新しいDDR5 MRDIMMの需要も高まっています。第2世代DDR5 MRDIMMの転送速度は最大12,800メガトランスファ／秒（MT/s）で、メモリ帯域幅が第1世代の1.35倍に拡大しています。ルネサスは、CPUやメモリのプロバイダをはじめとする業界のリーディング企業やエンドユーザと連携し、新しいMRDIMMの設計、開発、展開をサポートしてきました。
今回ルネサスは、3つの重要なコンポーネントを新たに開発しました。第2世代マルチプレックスレジスタードクロックドライバ（MRCD）の「RRG50120」、第2世代マルチプレックスデータバッファ（MDB）の「RRG51020」、第2世代パワーマネジメントIC（PMIC）の「RRG53220」です。ルネサスはすでに、DDR5用温度センサ（TS）やシリアルプレゼンス検出（SPD）ハブも提供しており、組み合わせて使用できます。ルネサスは、この業界標準の次世代MRDIMM向けや、クライアント用DIMM向けにもトータルなメモリインタフェースのチップセットを提供している業界随一の企業です。新製品MRCD「RRG50120」、MDB「RRG51020」、PMIC「RRG53220」はサンプル出荷を行っており、量産は2025年上半期を予定しています。
ルネサスの執行役員 兼アナログ&コネクティビティ担当ジェネラルマネージャー、Davin Leeは次のように述べています。「AIやHPCのアプリケーションに対応したハイパフォーマンスシステムの需要はますます高まっています。ルネサスは、このトレンドの最先端で、業界のリーディング企業と共同で次世代の技術や仕様を開発しています。前例のない需要に応えるため、ルネサスの高度なノウハウと生産能力が求められているのです。新たに発売する第2世代DDR5 MRDIMM向けのチップセットソリューションは、この市場における当社のリーダーシップの証と言えるでしょう。」
MRDIMMでは、ホストコントローラとDRAM間でコマンドアドレス（CA）バス、チップセレクト、およびクロックをバッファするために、ルネサスの第2世代MRCDである「RRG50120」が使用されます。第2世代MRCDは消費電力を第1世代より45％も削減できるため、超高速システムにおける熱管理の切り札になります。第2世代MDBである「RRG51020」も、MRDIMMでホストCPUからDRAMへのデータのバッファに使用される重要なデバイスです。これらの新たなMRCDとMDBは、最大12.8ギガバイト／秒（GB/s）のデータ転送速度をサポートします。また、次世代PMICである「RRG53220」は、クラス最高の電気的オーバーストレス保護機能と優れた電力効率を実現し、高電流・低電圧動作に最適です。
詳しくはwww.renesas.com/DDR5をご覧ください。
以 上
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