ルネサスの低オン抵抗パワーMOSFET「μPA2766T1A」
ルネサス エレクトロニクス株式会社（代表取締役社長：赤尾 泰、以下ルネサス）はこのたび、スマート社会の実現に貢献する主要アプリケーションであるネットワークサーバやストレージシステムの電源ユニットに使用されるオアリング向け(注1)FET用として、低オン抵抗のパワーMOSFET(注2)「μPA2766T1A 」など計3品種を製品化し、本日よりサンプル出荷いたします。
新製品は、当社従来製品比で約半分の低オン抵抗(注3)を実現し、更に高効率な小型表面実装パッケージ（8pinHVSON）を採用いたしました。特に、「μPA2766T1A 」では、30V耐圧で5mm×6mmサイズの小型外形では業界トップの性能となる0.72ミリオーム（mΩ）の低オン抵抗を実現しました。これにより、小型ながら大電流の制御が可能となり、比較的大規模なサーバ・ストレージシステムに採用される電源ユニットの省電力化・小型化に貢献いたします。
新製品は2013年2月から量産を開始し、同年10月には3品種合計で月産500万個を生産予定です。
背景
基幹系システム等で採用されるサーバ・ストレージにおいては、システム全体の高信頼性を維持するために、複数の電源ユニットをオアリング向けFETでまとめて冗長化し、不測のトラブルに備えることが一般的です。
このオアリング向けFETは、それぞれの電源ユニットの電力出力ラインに接続され、通常動作時はオン状態ですが、ひとつの電源ユニットが故障し正常な電源供 給ができなくなった場合にはその電源ユニットのオアリング向けFETをオフに切り替え、他の電源ユニットから隔絶させることを目的としています。
これらの電力出力ラインには通常動作時、数十から数百アンペアもの大きな電流が流れるので、導通損失の増大や電源電圧の低下を防ぐために、より低オン抵抗性能を有したオアリング向けFETが求められています 。
この要求に対応するため、当社では、微細プロセスの採用等により従来の本用途向けパワーＭＯＳＦＥＴプロセスに比較して同一有効面積でオン抵抗を約半分に低減できるプロセスを確立し、今回、低オン抵抗で小型パッケージを実現した「μPA2766T1A」など計3 品種を製品化しました。
特長
新製品の主な特長は次の通りです。
（１）業界トップの低オン抵抗性能を実現
新製品の「μPA2766T1A」では、30V耐圧、5mm×6mmサイズの小型外形では業界トップの性能となる0.72mΩの低オン抵抗を実現しました。これによりスマート社会の実現 に貢献する主要アプリケーションであるネットワークサーバやストレージシステムの電源ユニットのオアリングFETの導通損失を低減することができるのでシステム全体の省電力化に貢献します。また、大電流でも電圧降下の増大を抑えることができ、電流変動幅が大きな電源ユニットでも、より高精度の電源電圧を確保することができます。
（２）大電流制御が可能な小型表面実装パッケージ8pinHVSONを採用
今回採用した8pinHVSONパッケージは、パッケージ内部のFETチップと端子間を金属板で接続した構造であるためパッケージ抵抗が低く、ＦＥＴチップのもつ低オン抵抗性能との組み合わせによって、5mm×6mmサイズの小型外形であるにも関わらず、「μPA2766T1A」では定格130A（ID（DC））もの大電流制御を可能にしました。これにより、大電流を供給するために個々の電源ユニットごとに複数のオアリングＦＥＴを並列に動作させる必要がある場合に、最小限の並列数とすることができ、機器の省スペース化に貢献します。
加えて、新製品は「μPA2766T1A」を含めオン抵抗で0.72mΩから1.05mΩ（標準値）までの合計3品種を揃えており、動作電流や環境条件などの様々なニーズに、より最適な製品を提供でき、機器の省電力化や省スペース化に貢献します。
新製品のサンプル価格は品種によって異なりますが、「μPA2766T1A」では1個あたり150円となっております。
今後は、さらに小型パッケージへ展開するなどの製品ラインアップ強化を予定しております。
主な仕様は別紙をご参照ください。
低オン抵抗パワーMOSFETの製品情報は、https://www.renesas.com/ja/products/power-and-discrete/mosfets/ultra-low-ron-mosfet-for-oring.htmlをご覧ください。
以 上
（注1）オアリングとは、負荷に対して複数の電源を備えたシステムで電源電圧の自動切り替えや負荷の分担をすること。パワーMOSFETと制御回路でこれを実現する。
（注2）MOSFETはMetal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor（金属酸化膜半導体 電界効果トランジスタ）の略。MOSFETにはその構造により、P型（チャネル）とN型があり、新製品はN型の製品。
（注3）オン抵抗はパワーMOSFETが動作している時の動作抵抗であり、数値が低いほど損失（導通損失）を低減できます。
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