ルネサス エレクトロニクス株式会社（代表取締役社長兼CEO:呉 文精、以下ルネサス）は、本日、世界で初めて、28nmプロセスのフラッシュメモリ内蔵マイコン「RH850/E2xシリーズ」のサンプル出荷を開始したことを発表します。RH850/E2xシリーズは、より高効率で信頼性の高い次世代エコカーや自動運転車の実現に貢献するため、400MHzのCPUを最大で6コア搭載し、フラッシュメモリ内蔵の車載マイコンにおいて世界最高処理性能（注1）となる 9600 MIPS（注2）を達成。さらに、最大16MB（メガバイト）のフラッシュメモリを内蔵し、セキュリティ機能や機能安全も強化しました。
第一弾 として「RH850/E2xシリーズ」から、28nmプロセスのフラッシュメモリ内蔵マイコンのサンプル出荷を今月より開始し、今後も、順次リリースしていきます。
ルネサスは、Renesas autonomy™のコンセプトの下、エコカー／電動化、コネクテッドカー、自動運転に代表されるクルマの進化をリードするエンドツーエンドのソリューションを提供しています。この28nm世代の車載制御用マイコンは、Renesas Autonomyの中でも、クラウドとの連携やセンシングの役割を担うR-Car SoCと両翼をなす、車両制御の役割を担う次世代技術を搭載した新製品です。すでに、株式会社デンソー様をはじめとするTier1メーカやOEMメーカからも、次世代の低燃費エンジン開発に不可欠な高い演算処理性能や、車載E/E（電気/電子）アーキテクチャの変化に伴うECU（電子制御ユニット）の統合を見据えたプラットフォームとしてのスケーラビリティが高く評価され、すでに採用が始まっています。
新「RH850/E2xシリーズ」の主な特長は以下の通りです。
（1）エコカーに向けて、複雑な車載制御を可能とする高い演算性能を実現
環境に配慮した車両開発のために、次世代の低燃費エンジンは、新たな燃焼方式を実現できる高い演算処理性能を必要とします。また、電気自動車（EV）やプラグインハイブリッド自動車（PHEV）などの電動車両においても、モータ、インバータの高効率化や小型化に向け、高い演算性能や高集積化が求められます。今回ルネサスが開発した28nmプロセスのフラッシュメモリ内蔵マイコンは、400MHzのCPUを最大6コア搭載し、フラッシュメモリ内蔵の車載マイコンにおいて世界最高処理性能となる 9600 MIPSを達成しました。電力性能比では、40nmプロセス製品と比較して、同一電力で約3倍の性能向上を実現しました。さらに、高精度な車載制御機能に必要なセンサI/F（インターフェース）を強化して搭載することで、車載制御の統合化を可能とします。なお、マルチコアの仮想環境およびモデルベース開発環境は、今後、パートナ各社から順次提供予定です。
（2）コネクテッドカーに向けて、大容量フラッシュによりOTAアップデート機能を強化
ECUのソフトウェアをより安全性の高い制御プログラムに、無線を使って自動でアップデートするOTA（Over The Air）に対応するために、大容量のフラッシュメモリ搭載への要求が高まっています。RH850/E2xシリーズは、フラッシュROMを最大16MB搭載し、ユーザの用途に合わせて、プログラム実行中に任意の領域のみを更新可能です。また、シリアルI/Fを強化し、最大10チャネルのCAN FDやEthernetを搭載、さらにEvita Mediumに対応したセキュリティ機能の搭載により、安全に、かつ短時間でソフトウェアのOTAアップデートが可能です。
（3）自動運転に向けて、機能安全を強化
車載E/Eシステム向け機能安全規格ISO 26262 で最高水準となるASIL Dをターゲットに、2個のCPUコアが演算の同一性を担保するデュアルコア・ロックステップ方式のCPUコア構成を最大4セット搭載し、さらに種々のハードウェア安全機構を強化しました。これにより、自動運転のようなシステムの誤動作が致命的な事故に至る可能性がある用途において、万が一故障が発生した場合でも、迅速に故障を検知し、システムを安全に保つことが可能になります。さらに、さまざまなユースケースに柔軟に対応可能な安全分析ツールの提供などにより、安全なシステムの構築に貢献します。
ルネサスは、2015年2月に28nmフラッシュメモリ技術を開発した後、2016年9月には、TSMCと28nmマイコンの開発で協業することを発表し、今回、世界で初めてサンプル出荷を実現しました。すでに、技術的には、16／14nm世代以降のマイコンに向けて、フィン構造MONOSフラッシュメモリの大規模動作にも成功しており、今後も技術革新を続け、安心・安全なクルマ社会の実現に向けて業界をリードしていきます。
なお、「RH850/E2xシリーズ」はスケーラビリティを確保するため、28nmプロセスのフラッシュメモリ内蔵マイコンに加えて、（1）から（3）と同様の特長を有する40nmプロセスのマイコンもラインアップし、サンプル出荷を開始しました。
本「RH850/E2xシリーズ」の主な仕様は 別紙（156KB）をご参照ください。
ソリューションの詳細は、https://www.renesas.com/ja/solutions/automotive/powertrain.htmlをご覧ください。
ルネサスのMONOS混載フラッシュメモリ技術について
MONOSは、「Metal（メタル）－Oxide（酸化膜）－Nitride（窒化膜）－Oxide（酸化膜）－Silicon（シリコン）」の略称。シリコンの上に、酸化膜/窒化膜/酸化膜の3層構造があり、その上に制御ゲート（メタル）が載った、記憶用トランジスタ（メモリセル）の構造のこと。ルネサスでは、MONOS技術を20年以上前からICカード用メモリに搭載している。この実績を元に、ゲート電極を二つに分けた「スプリットゲート（SG）」構造のMONOS技術「SG-MONOS」を開発し、高信頼性・高速動作・低消費電力を実現するSG-MONOS型フラッシュメモリとして、マイコンに内蔵している。
（注1） 公表されている他社データに基づく、本日時点での当社調べ。
（注2） MIPS（Million Instructions Per Second）とは、コンピュータの処理性能を表す単位。
＊Renesas autonomyは、ルネサス エレクトロニクス株式会社の商標です。本リリース中の製品名やサービス名は全てそれぞれの所有者に属する商標または登録商標です。
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