概要
説明
The HFA3102 is an all NPN transistor array configured as dual differential amplifiers with tail transistors. Based on Intersil bonded wafer UHF-1 SOI process, this array achieves very high fT (10GHz) while maintaining excellent hFE and VBE matching characteristics over temperature. Collector leakage currents are maintained to under 0. 01nA.
特長
- High Gain-Bandwidth Product (fT) 10GHz
- High Power Gain-Bandwidth Product 5GHz
- High Current Gain (hFE) 70
- Noise Figure (Transistor) 3.5dB
- Low Collector Leakage Current <0.01nA
- Excellent hFE and VBE Matching
- Pin-to-Pin to UPA102G
- Pb-Free Plus Anneal Available (RoHS Compliant)
製品比較
アプリケーション
アプリケーション
- Single Balanced Mixers
- Wide Band Amplification Stages
- Differential Amplifiers
- Multipliers
- Automatic Gain Control Circuits
- Frequency Doublers, Tripplers
- Oscillators
- Constant Current Sources
- Wireless Communication Systems
- Radio and Satellite Communications
- Fiber Optic Signal Processing
- High Performance Instrumentation
設計・開発
モデル
ECADモデル
[製品選択]テーブル内の製品名をクリックするとSamacSysが提供する回路図シンボル、PCBフットプリント、3D CADモデルがご確認いただけます。 お探しのシンボルやモデルが見つからない場合、Webサイトから直接リクエストできます。