RenesasはデュアルポートRAMの主要なサプライヤです。デュアルポートSRAMに関する専門技術と高性能の回路技術を適用しているだけでなく、システム設計の豊富な経験を効果的に取り入れることで非同期デュアルポートRAM製品を実現しています。
Renesas社の非同期デュアルポートRAMは、データ／アドレス／制御用の非クロック入出力を備えたメモリデバイスです。クロックやカウンタは必要なく、アドレスや制御ピンの変化に対して応答します。また、2つのバスから単一の静的なSRAMに同時にアクセスすることが可能です。なお、ほとんどの製品は調停機能を備えています。デュアルポートSRAMにより、次のような効果が得られます。
- より広い帯域幅を実現できる（最大でSRAMの2倍）
- 設計の複雑さを軽減できる
- ほかのソリューションを使う場合よりも開発期間を短縮可能
RenesasのデュアルポートRAMには、2.5V～5VのI/O電圧、RoHS 6/6に準拠するパッケージと標準パッケージ、民生用／産業用／軍事用というオプションがあります。またRenesasは、高性能のSRAMを使用したデュアルポート非同期メモリソリューションのコスト削減にも取り組んでいます。今後もデュアルポート非同期メモリの主要プロバイダとして業界を牽引していきます。
デュアルポートメモリ（デュアルポートRAM）について
デュアルポートメモリ（デュアルポートRAM）は、ランダムアクセスメモリの一種です。特に、メモリ上の異なるアドレスに対して同時（またはほぼ同時）に発生する複数のリード／ライトをサポートします。この機能の最大のメリットは、優れた性能が得られることです。シングルポートRAMの場合、各クロックサイクルにおいて1つのメモリセルに対するリード／ライトしか行えません。それに対し、デュアルポートメモリでは、1サイクルで2つのメモリセルにアクセスできるため、高い性能が得られます。
トランジスタレベルのアーキテクチャで見た場合、シングルポートRAMの基本的なメモリセルは6個のトランジスタで構成されます。それに対し、デュアルポートメモリの基本的なメモリセルには8個のトランジスタを使用します。そのため、一般的にはシングルポートRAMよりもダイのサイズは大きくなりますが、Renesasの製品の場合、最適化を施すことによって非常にコンパクトなパッケージで提供されています。
デュアルポートRAMを選定する際に考慮すべき主要なパラメータには、以下に挙げるようなものがあります。
- コア部の電源電圧： デュアルポートRAMのコア部に電力を供給するための電源電圧。通常は、システム内に存在する電源レールによって値が決まります。
- I/O部の電源電圧： データの入出力に使用するI/O部に供給する電源電圧。製品によって、コア部の電源電圧と共通のものと異なるものがあります。
- バス幅： デュアルポートRAMに対するリード／ライトに使用されるレーン数。Renesasは、一般的に使われているあらゆる構成に対応しています。
- メモリ密度： デュアルポートRAMのメモリ部に格納されるデータのビット数。Renesasは、18Mbまでのサイズの製品を提供しています。
- アクセス時間：1つの情報が存在する場所が特定されて、コンピュータによる処理に利用できるようになるまでの時間。デュアルポートメモリのアクセス時間としては、CPUの処理に対応できるだけの速度を実現可能であることが求められます。そうでない場合、CPUにおいて一部のクロックサイクルが無駄になり、処理が遅くなってしまうからです。Renesasの製品の場合、最小で8nsのアクセス時間を実現しています。
