概要

R1LV5256Eシリーズは、シリコンゲート0.15µm CMOSプロセス技術を用いた32,768語 ×8 ビット構成を持ち、単一電源で動作する非同期式のスタティクRAMです。メモリセルにTFT技術を用い、高密度かつ低消費電力を実現したデバイスです。したがってR1LV5256Eシリーズは、低スタンバイ電流かつ低動作電源電流という特性を有していますので、バッテリ駆動を行なうシステムに最適です。

パッケージの種類は、高密度実装可能な28ピンの薄型パッケージ（SOP，TSOP）が用意されています。

  • 2.7V～3.6V 単一電源
  • 低スタンバイ電源電流 0.6µA（Vcc=3.0V 標準値）
  • 外部クロック及びリフレッシュ操作不要
  • 入出力ともTTL直結可能
  • CS#信号によりメモリ容量の拡張可能
  • データ端子は入力、出力が共通
  • 出力はスリーステートでORタイが可能
  • OE#入力によるI/Oバスでのデータの競合防止可能

ドキュメント

設計・開発

ECADモデル

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製品選択

    Processing table
    PLP
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    Carrier Type
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    Price (USD) | 1ku
    ご購入 / サンプル
    型名
    R1LV5256ESA-5SI#B1
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    		2032 12月 TSOP(28) Tray 3 1.567 サンプルを入手,
    R1LV5256ESA-5SI#S1
    circleアクティブ
    memory
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    		2032 12月 TSOP(28) Embossed Tape 3 1.521
    R1LV5256ESP-5SI#B1
    circleアクティブ
    memory
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    サンプル入手可能
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    		2032 12月 SOP Tube 3 1.56 サンプルを入手,
    R1LV5256ESP-5SI#S1
    circleアクティブ
    memory
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    		2032 12月 SOP Embossed Tape 3 1.506
    Parametric Table tips

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