概要

TP65H015G5WS 650V 15mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、当社のGenVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMTと低電圧シリコンMOSFETを組み合わせて、優れた信頼性と性能を提供します。

ルネサスのGaNパワー製品は、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンよりも効率が向上します。

このTP65H015G5WSは、業界標準の3ピンTO-247パッケージで提供され、共通のソースパッケージ構成を採用しています。

TP65H015G5WS Typical Diagram
TP65H015G5WS Efficiency
TP65H015G5WS Power Loss
TP65H015G5WS Typical Diagram
TP65H015G5WS Efficiency
TP65H015G5WS Power Loss
  • JEDEC認定のGaN技術
  • ダイナミックRDS(on)eff 生産テスト済み
  • ロバスト設計、以下によって定義されます。
    • 固有の寿命テスト
    • 広いゲート安全マージン
    • 過渡過電圧機能
  • 突入電流能力の向上
  • 非常に低いQRR
  • クロスオーバー損失の低減
  • AC-DCブリッジレストーテムポールPFC設計が可能
    • 電力密度の向上
    • システムのサイズと重量の低減
    • 全体的なシステムコストの削減
  • ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
  • 一般的に使用されるゲートドライバーで簡単に駆動できます
  • GSDピンレイアウトにより高速設計が向上
  • RoHS準拠およびハロゲンフリーのパッケージ

アプリケーション

  • データコム
  • 幅広い産業
  • PVインバーター
  • サーボ モーター

ドキュメント

= ピックアップ
分類 タイトル 日時
データシート
TP65H015G5WS Datasheet
PDF 1.22 MB
1件

設計・開発

ECADモデル

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ECADモデルを調べる
Diagram of ECAD Models

製品選択

    Processing table
    Pkg. Type
    Carrier Type
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    Mounting Type
    Temp. Range
    ご購入 / サンプル
    型名
    TP65H015G5WS
    circleアクティブ
    memory
    view_in_ar
    		TO-247 Tube 1 Through Hole -55 to +150°C
    Parametric Table tips

    Tips for Using This Parametric Table:

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    • Multiselect checkboxes at beginning of each row in table: Select these checkboxes to compare products against each other
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    • Chip icon next to the right of the document icon in row: View the block diagram for this product
    • Cart icon to the right of the chip icon: Indicates that samples are available for this product