概要
説明
TP65H015G5WS 650V 15mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、当社のGenVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMTと低電圧シリコンMOSFETを組み合わせて、優れた信頼性と性能を提供します。
ルネサスのGaNパワー製品は、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンよりも効率が向上します。
このTP65H015G5WSは、業界標準の3ピンTO-247パッケージで提供され、共通のソースパッケージ構成を採用しています。
特長
- JEDEC認定のGaN技術
- ダイナミックRDS(on)eff 生産テスト済み
- ロバスト設計、以下によって定義されます。
- 固有の寿命テスト
- 広いゲート安全マージン
- 過渡過電圧機能
- 突入電流能力の向上
- 非常に低いQRR
- クロスオーバー損失の低減
- AC-DCブリッジレストーテムポールPFC設計が可能
- 電力密度の向上
- システムのサイズと重量の低減
- 全体的なシステムコストの削減
- ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
- 一般的に使用されるゲートドライバーで簡単に駆動できます
- GSDピンレイアウトにより高速設計が向上
- RoHS準拠およびハロゲンフリーのパッケージ
製品比較
アプリケーション
- データコム
- 幅広い産業
- PVインバーター
- サーボ モーター
設計・開発
Processing table
| TO-247 | Tube | 1 | Through Hole | -55 to +150°C |
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