概要

説明

TP65H035G4QS 650V 35mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、Gen IVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMT技術と低電圧シリコンMOSFET技術を組み合わせ、優れた信頼性と性能を提供します。

ルネサスのGaNパワー製品は、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンよりも効率が向上します。

このTP65H035G4QSは、ケルビンソースと共通ソースのパッケージ構成を備えた業界標準のTOLLで提供されます。

特長

  • Gen IVテクノロジー
  • JEDEC認定のGaN技術
  • 動的RDS(on)eff生産テスト済み
  • ロバスト設計、以下によって定義されます。
    • 広いゲート安全マージン
    • 過渡過電圧機能
  • 非常に低いQRR
  • クロスオーバー損失の低減
  • RoHS準拠およびハロゲンフリーのパッケージ
  • ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
    • 電力密度の向上
    • システムのサイズと重量の低減
    • 全体的なシステムコストの削減
  • 一般的に使用されるゲートドライバーで駆動が簡単
  • 性能向上のためのケルビンソース
  • ノイズ耐性を向上させるための高Vtのeモードによるピン間ドロップイン

製品比較

アプリケーション

アプリケーション

  • データコム
  • 幅広い産業
  • PVインバーター
  • サーボ モーター

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 1.03 MB
1件

設計・開発

モデル