3.0kW Inverter GaN Evaluation Platform
The TDINV3000W050B 3.0kW inverter evaluation kit provides an easy way to evaluate the performance advantages of our SuperGaN FETs in various inverter applications, such...
TP65H050G4WS 650V 50mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、GenIVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMTと低電圧シリコンMOSFETを組み合わせて、優れた信頼性と性能を提供します。
ルネサスのGaNパワー製品は、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンよりも効率が向上します。
このTP65H050G4WSは、業界標準の3ピンTO-247パッケージで提供され、共通のソースパッケージ構成を採用しています。
The TDINV3000W050B 3.0kW inverter evaluation kit provides an easy way to evaluate the performance advantages of our SuperGaN FETs in various inverter applications, such...
The TDINV3000W050 3.0kW inverter evaluation kit provides an easy way to evaluate the performance advantages of GaN FETs in various inverter applications, such as solar...
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Pkg. Type |
Carrier Type |
Moisture Sensitivity Level (MSL) |
Mounting Type |
Temp. Range |
ご購入 / サンプル |
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型名 | ||||||
TO-247 | Tube | 3 | Through Hole | -55 to +150°C |