概要

TP65H050G4YS 650V 50mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、ルネサスのGen IVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMT技術と低電圧シリコンMOSFET技術を組み合わせ、優れた信頼性と性能を提供します。

ルネサスのGaNは、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンに対する効率を向上させます。

このTP65H050G4YSは、ケルビンソースと共通ソースパッケージ構成の業界標準のTO-247-4で提供されます。

TP65H050G4YS Typical Diagram
TP65H050G4YS Efficiency
TP65H050G4YS Power Loss
TP65H050G4YS Typical Diagram
TP65H050G4YS Efficiency
TP65H050G4YS Power Loss
  • Gen IVテクノロジー
  • JEDEC認定のGaN技術
  • 動的RDS(on)eff生産テスト済み
  • ロバスト設計、以下によって定義されます。
    • 広いゲート安全マージン
    • 過渡過電圧機能
  • 非常に低いQRR
  • クロスオーバー損失の低減
  • RoHS準拠およびハロゲンフリーのパッケージ
  • ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
    • 電力密度の向上
    • システムのサイズと重量の低減
    • 全体的なシステムコストの削減
  • 一般的に使用されるゲートドライバーで運転が簡単
  • 性能向上のためのケルビンソース
  • SiおよびSiC TO-247-4によるピン間ドロップイン(注:タブはソースとドレイン)

アプリケーション

  • データコム
  • 幅広い産業
  • PVインバーター
  • サーボ モーター

ドキュメント

= ピックアップ
分類 タイトル 日時
データシート
TP65H050G4YS Datasheet
PDF 1.03 MB
1件

設計・開発

ECADモデル

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製品選択

    Processing table
    Pkg. Type
    Carrier Type
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    Mounting Type
    Temp. Range
    ご購入 / サンプル
    型名
    TP65H050G4YS
    circleアクティブ
    memory
    view_in_ar
    		TO-247-4L Tube 3 Through Hole -55 to +150°C
    Parametric Table tips

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