概要
説明
TP65H150BG4JSG 650V 150mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、ルネサスのGen IVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMT技術と低電圧シリコンMOSFET技術を組み合わせ、優れた信頼性と性能を提供します。
ルネサスのGaNは、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンに対する効率を向上させます。
このTP65H150BG4JSGは、共通のソース・パッケージ構成の業界標準のPQFN56で提供されます。
特長
- JEDEC認定のGaN技術
- ダイナミックRDS(on)eff 生産テスト済み
- ロバスト設計、以下によって定義されます。
- 固有の寿命テスト
- 広いゲート安全マージン
- 過渡過電圧機能
- 非常に低いQRR
- クロスオーバー損失の低減
- RoHS準拠およびハロゲンフリーのパッケージ
- AC-DCおよびDC-DC設計が可能
- 電力密度の向上
- システムのサイズと重量の低減
- 全体的なシステムコストの削減
- ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
- 一般的に使用されるゲートドライバーで簡単に駆動できます
製品比較
アプリケーション
- 民生
- 電源アダプタ
- 低電力SMPS
- 照明機器
設計・開発
Processing table
| PQFN56 | Tape & Reel | 3 | Surface Mount | -55 to +150°C |
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