概要
説明
TP65H150G4LSGBE 650V 150mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、8x8 PQFN業界標準パッケージに収められており、ルネサスのGen IV SuperGaN® プラットフォーム上に構築されたノーマリオフデバイスです。 高電圧GaN HEMTと最適化された低電圧シリコンMOSFETを接続し、優れた性能、標準的なドライブ回路との互換性により設計の容易さ、および高信頼性を実現します。
特長
- 150mΩ、650V GaNデバイス、PQFN 8x8業界標準パッケージ
- JEDEC認定のGaN技術
- ダイナミックRDS(on)eff 生産テスト済み
- ロバスト設計は以下によって定義されます。
- 800Vの過渡過電圧能力
- ツェナーダイオードによるゲート過電圧保護なしに標準的なゲートドライバでの駆動が可能
- 低QRR
- クロスオーバー損失の低減
- ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率が向上し、次のことが可能になります。
- 電力密度の向上
- システムのサイズと重量の低減
- システムコストの全体的な削減
製品比較
アプリケーション
- 民生
- ACアダプタ
- 低消費電力SMPS
- 照明機器
- POE電源
設計・開発
製品選択
適用されたフィルター