概要
説明
The 2SJ687 is P-channel MOSFET device and a excellent switch that can be driven by a low power-supply voltage.
特長
- Low on-state resistance
RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −10 A)
RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = −3.0 V, ID = −10 A)
RDS(on)3 = 20 mΩ MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −10 A) - 2.5 V drive available
- Avalanche capability ratings
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
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分類 | タイトル | 日時 |
データシート | PDF 270 KB | |
アプリケーションノート | PDF 2.65 MB 英語 | |
アプリケーションノート | PDF 633 KB 英語 | |
ガイド | PDF 596 KB | |
4件
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設計・開発
モデル
ECADモデル
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