概要

説明

The 2SK3812 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特長

  • Super low on-state resistance
    RDS(on)1 = 2.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A)
    RDS(on)2 = 3.7 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 55 A)
  • High current rating: ID(DC) = ±110 A

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
ガイド PDF 596 KB
データシート PDF 270 KB
4件

設計・開発

モデル