メインコンテンツに移動
ご購入

概要

説明

The N0603N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特長

  • Low on-state resistance
    RDS(on) = 4.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A)
  • Low input capacitance
    Ciss = 7730 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)
  • High current
    ID(DC) = ±100 A
  • RoHS Compliant

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 523 KB
ガイド PDF 796 KB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
ガイド PDF 596 KB
5件

設計・開発

モデル

ECADモデル

[製品選択]テーブル内の製品名をクリックするとSamacSysが提供する回路図シンボル、PCBフットプリント、3D CADモデルがご確認いただけます。 お探しのシンボルやモデルが見つからない場合、Webサイトから直接リクエストできます。

Diagram of ECAD Models