概要
説明
The N0607N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特長
- Low on-state resistance
RDS(on) = 8.4 mΩ max. ( VGS = 10 V, ID = 32.5 A ) - Low Ciss : Ciss = 3300 pF typ. ( VDS = 25 V )
- High current : ID(DC) = ±65A
- RoHS Compliant
- Quality Grade : Standard
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 661 KB | |
| ガイド | PDF 796 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 633 KB 英語 | |
| ガイド | PDF 596 KB | |
4件
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設計・開発
モデル
ECADモデル
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Processing table
| TO-252 | TO-252 / DPAK | Embossed Tape | 1 | サンプルを入手, |
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