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ご購入

概要

説明

NP15P04SLGは大電流スイッチングアプリケーション向けに設計されたPチャネルMOS電界効果トランジスタです。

特長

  • 超低オン抵抗 RDS(on)1 = 最大40 mΩ(VGS = -10 V, ID = -7.5 A)RDS(on)2 = 最大60 mΩ(VGS = -4.5 V, ID = -7.5 A)
  • 低入力容量 Ciss = 1100 pF (標準)
  • ゲート保護ダイオード内蔵

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 1.41 MB
ガイド PDF 2.76 MB
ガイド PDF 796 KB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
製品別信頼性資料 PDF 224 KB
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
マニュアル-開発ツール ZIP 1 KB
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
9件

設計・開発

モデル

ECADモデル

[製品選択]テーブル内の製品名をクリックするとSamacSysが提供する回路図シンボル、PCBフットプリント、3D CADモデルがご確認いただけます。 お探しのシンボルやモデルが見つからない場合、Webサイトから直接リクエストできます。

Diagram of ECAD Models