概要
説明
The NP15P06SLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特長
- Super low on-state resistance RDS(on)1 = 70 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −7.5 A) RDS(on)2 = 95 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −7.5 A)
- Low input capacitance Ciss = 1100 pF TYP.
- Built-in gate protection diode
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 931 KB | |
| ガイド | PDF 2.65 MB | |
| アプリケーションノート | PDF 2.65 MB 英語 | |
| 製品別信頼性資料 | PDF 224 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 633 KB 英語 | |
| カタログ | PDF 2.24 MB | |
| ガイド | PDF 596 KB | |
7件
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設計・開発
モデル
ECADモデル
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Processing table
| MP-3ZK | TO-252 / DPAK | Embossed Tape | 1 | サンプルを入手, |
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