概要
説明
Support is limited to customers who have already adopted these products.
The NP160N04TDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特長
- Super low on-state resistance RDS(on)1 = 1.6 mΩ TYP. / 2.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 80 A) RDS(on)2 = 2.2 mΩ TYP. / 5.4 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 80 A)
- High Current Rating ID(DC) = ±160 A
- Logic level drive type
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
ピックアップ
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分類 | タイトル | 日時 |
データシート | PDF 367 KB | |
ガイド | PDF 2.76 MB | |
ガイド | PDF 796 KB | |
製品別信頼性資料 | PDF 234 KB | |
アプリケーションノート | PDF 633 KB English | |
カタログ | PDF 2.24 MB | |
ガイド | PDF 596 KB | |
7件
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設計・開発
モデル
ECADモデル
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