概要

説明

NP20P06SLGは大電流スイッチングアプリケーション向けに設計されたPチャンネルMOS電界効果トランジスタです。

特長

  • 超低オン抵抗 RDS(on)1 = 48 mΩ最大(VGS = −10 V, ID = −10 A)RDS(on)2 = 64 mΩ最大(VGS = −4.5 V, ID = −10 A)
  • 低入力容量 Ciss = 1650 pF (代表値)
  • ゲート保護ダイオード内蔵

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 1.31 MB
ガイド PDF 2.65 MB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
製品別信頼性資料 PDF 224 KB
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
7件

設計・開発

モデル