概要
説明
The RBA160N04AHPF-4UA01 is an N-channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) designed for high current switching applications.
特長
- Super low on-state resistance
- RDS(on) = 1.25 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 80A)
- Low input capacitance
- Ciss = 8800pF TYP. (VDS = 25 V)
- Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
- Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode)
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
= ピックアップ
ログイン後、ご登録が可能となります。
|
|
|
---|---|---|
分類 | タイトル | 日時 |
データシート | PDF 413 KB | |
ガイド | PDF 2.65 MB | |
アプリケーションノート | PDF 2.65 MB 英語 | |
アプリケーションノート | PDF 633 KB 英語 | |
カタログ | PDF 2.24 MB | |
ガイド | PDF 596 KB | |
6件
|
設計・開発
モデル
ECADモデル
[製品選択]テーブル内の製品名をクリックするとSamacSysが提供する回路図シンボル、PCBフットプリント、3D CADモデルがご確認いただけます。 お探しのシンボルやモデルが見つからない場合、Webサイトから直接リクエストできます。