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概要

説明

The RBA250N04AHPF-4UA01 is an N-channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) designed for high current switching applications.

特長

  • Super low on-state resistance
    • RDS(on) = 0.85 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 125A)
  • Low input capacitance
    • Ciss = 12900pF TYP. (VDS = 25 V)
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
  • Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode)

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 639 KB
ガイド PDF 2.76 MB
ガイド PDF 796 KB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
7件

設計・開発

モデル

ECADモデル

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Diagram of ECAD Models