概要
説明
MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness.
特長
- Very low on-resistance
RDS(on) = 0.038 Ω typ. (at ID = 12.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 °C) - Low gate charge
Qg = 37 nC typ. (at VDD = 120 V, VGS = 10 V, ID = 25 A, Ta = 25 °C) - Low leakage current
- High speed switching
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
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分類 | タイトル | 日時 |
データシート | PDF 90 KB | |
アプリケーションノート | PDF 2.65 MB 英語 | |
アプリケーションノート | PDF 633 KB 英語 | |
ガイド | PDF 596 KB | |
4件
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設計・開発
モデル
ECADモデル
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