概要

説明

MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness.

特長

  • Very low on-resistance
    RDS(on) = 0.038 Ω typ. (at ID = 12.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 °C)
  • Low gate charge
    Qg = 37 nC typ. (at VDD = 120 V, VGS = 10 V, ID = 25 A, Ta = 25 °C)
  • Low leakage current
  • High speed switching

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 90 KB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
ガイド PDF 596 KB
4件

設計・開発

モデル