GreenFET高性能負荷スイッチは、負荷電流が1Aから9Aの範囲で、0.25Vから25.2Vのハイサイド電源レール制御アプリケーション向けに開発・最適化されています。
独自のMOSFET開発により、すべてのGreenFET負荷スイッチは、広い入力および電源電圧範囲にわたって安定したRDSONを実現します。 独自のMOSFET IPと高度なアセンブリ技術を組み合わせたこれらの最先端製品は、0.56mm²～5.04mm²の超小型PCBフットプリントで利用可能で、大電流に対する低熱抵抗を実現します。
ディスクリートFET回路の実装と比較して、GreenFET製品は、高性能nFETまたはpFET構造、高電流処理能力、チャージポンプ、および複数の保護・制御回路を、スペース効率の高いシングル・チャネルおよびデュアル・チャネル製品に統合しています。 これらすべての高度な機能の組み合わせは、BOM（部品表）およびコストの削減に直結するだけでなく、システムの信頼性を高め、基板サイズを縮小します。
すべての低電圧および高電圧GreenFET負荷スイッチは、商用（0 °C～70 °C）、拡張商用（-20 °C～70°C）、産業用（-40 °C～85 °C）、拡張産業用（-40 °C～125 °C）の温度範囲で開発され、特性を評価しています。 ルネサスの負荷スイッチは、非常に低い温度勾配の発生に対応しており、低熱抵抗、STDFN/STQFN RoHS対応パッケージ、およびウェハレベル・チップスケール・パッケージ（WLCSP）を提供しています。
特長
- 高性能nFET MOSFET
- 低RDSON：13.3mΩ
- 超低ΔRDSON/ΔVIN：<0.05mΩ/V
- 超低ΔRDSON/ΔT：<0.06mΩ/°C
- 内部の保護機能
- 内部過渡電圧サプレッサ（一部の型名）
- 自動nFET SOA保護（5Wおよび10Wオプション）
- ピン選択可能な過電圧および低電圧ロックアウトウィンドウ
- 固定およびキャパシタ調整が可能な突入電流制御
- 固定および抵抗調整が可能な電流制限
- 内部短絡電流制限
- サーマル・シャットダウン
- 高速VOUT放電
- オープンドレインFAULT 信号
- オープンドレイン パワーグッド信号
- MOSFET IDSアナログ電流または電力出力負荷モニタ（一部の型名）
- UL2367認証取得（一部の型名）
アプリケーション
- USB Type CハイエンドスマートフォンとタブレットPC
- 5V、12V、15V、20Vシステムのポイントオブロード(POL)電力分配
- 企業向けコンピュータおよび通信機器
- 多機能プリンタ
- ファンモータ・ドライブ
- 企業向けコピー機
- セットトップボックス
- 汎用、高電圧電源レールスイッチング
- PCIe/PCIアダプタカード
